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STD1NK60-1中文资料

STD1NK60-1图片

STD1NK60-1外观图

  • 大小：425KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  • 标准包装：75
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：SuperMESH™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：156pF @ 25V
  • 功率 - 最大：30W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
  • 供应商设备封装：I-Pak
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-12782-5STD1NK60-1-ND

STD1NK60-1供应商

更新时间:2023-01-17 18:36:17
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